高山 純一 Takayama junichi

2007年3月 北海道大学 工学部 電子工学科 卒業
2009年3月 北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 修了

2009年4月 半導体設計会社にて，アナログ回路設計者としてデジアナ混載ICの開発に従事.
2012年4月 大学院工学研究院 工学系技術センター技術部 (情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻へ派遣)

半導体に関する専門知識を生かして，半導体発光デバイス研究に関する技術支援を行っています．
主な業務として，超高真空半導体結晶成長装置の管理・運用技術支援，デバイス微細加工技術開発，超高速時間分解分光装置・顕微分光装置の管理・運用支援，クリーンルームの管理などがあります。

刻一刻と変化する実験内容に合わせて、実験装置を改造するための設計製作・LabVIEWによる自動制御などの技術支援も行っています。

2013年3月, 平成24年度愛媛大学総合技術研究会, 「若手主体の研修企画とその実施プロセス」
2014年7月29日 6th IEEE International Nanoelectronics Conference, Hokkaido University Conference Hall, Sapporo, Japan “Effects of electric field on carrier and spin dynamics in InGaAs-based coupled quantum structures”,
2014年9月11日 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, P123, High Country Conference Center, Flagstaff, USA. “Optimization of growth conditions of self-assembled InGaAs quantum dots suitable for spin injection”,
2014年9月19日, 第75回応用物理学会秋季学術講演会, 北海道大学, 19a-A26-8 ｢InGaAs量子ドットと量子井戸の結合スピン状態に対する電界印加効果｣ 
2015年9月29日 47th International Conference on Solid State Devices and Materials, Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan. G-3-1 (Oral presentation), “High-density self-assembled quantum dots of InGaAs for ultrafast and efficient spin injection”,
2017年3月, 総合技術研究会2017 東京大学, 「極低温磁場中顕微蛍光分光システムの開発」
2017年9月7日、第78回応用物理学会秋季学術講演会、福岡国際会議場(福岡), 7a-A414-5,「InGaAs 量子ドットにおける高密度光励起キャリアの注入ダイナミクス」
2020年9月9日、第81回応用物理学会秋季学術講演会、オンライン、 9a-Z04-7、 「可変ストライプ⻑法によるInGaAs 量⼦ドットのモード利得測定の層間膜厚依存性」

第一級陸上特殊無線技士， 第三級海上特殊無線技士， 第二種電気工事士